Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP1705692 Art A3 4. April 2007

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1705692
Aktenzeichen: EP06011647
Anmeldetag: 13. Oktober 2000
Veröffentlichung: 4. April 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/00H01L51/40G02F1/1335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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