Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung

EP1705714 Art B1 4. Mai 2016

Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1705714
Aktenzeichen
EP06111709
Anmeldetag
24. März 2006
Veröffentlichung
4. Mai 2016
Erteilung
4. Mai 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/335H01L29/06H01L29/417H01L29/423H01L29/66H01L29/778// H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nichia Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nichia

Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.

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