Temperaturgesteuerte Heissrand-Ringbaugruppe zur Verringerung des Plasmareaktor-Ätzratendriftens
EP1706898
Art B1
20. September 2017
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1706898
- Aktenzeichen
- EP04818010
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 20. September 2017
- Erteilung
- 20. September 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/67H01L21/687H01J37/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kontrus, Gerhard
Villach, Österreich
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Gritschneder, Martin
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