Halbleiter-Leistungsschalter mit Nanodrähten sowie dafür Geeignetes Herstellungsverfahren
EP1706906
Art B1
3. Oktober 2012
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1706906
- Aktenzeichen
- EP05714875
- Anmeldetag
- 19. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2012
- Erteilung
- 3. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/78H01L29/12H01L21/336H01L29/775H01L51/30H01L21/335H01L51/05H01L51/00B82Y10/00B82Y40/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
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