Lateraler Bipolartransistor mit zusätzlicher ESD Implantierung
EP1708274
Art B1
25. Mai 2016
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1708274
- Aktenzeichen
- EP06110965
- Anmeldetag
- 10. März 2006
- Veröffentlichung
- 25. Mai 2016
- Erteilung
- 25. Mai 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/735H01L27/02H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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