Halbleiteranordnung auf Galliumnitrid Basis und Verfahren zur Herstellung
EP1710841
Art A3
1. Juli 2009
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1710841
- Aktenzeichen
- EP06007200
- Anmeldetag
- 5. April 2006
- Veröffentlichung
- 1. Juli 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/20H01L29/205H01L29/778H01L21/335H01L21/205H01L21/331H01L29/737
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München