Halbleiteranordnung auf Galliumnitrid Basis und Verfahren zur Herstellung

EP1710841 Art A3 1. Juli 2009

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1710841
Aktenzeichen
EP06007200
Anmeldetag
5. April 2006
Veröffentlichung
1. Juli 2009
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/20H01L29/205H01L29/778H01L21/335H01L21/205H01L21/331H01L29/737
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

5.205 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen