Transistor mit Dotiertem Gate-Dielektrikum und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP1711959
Art B1
17. November 2010
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1711959
- Aktenzeichen
- EP05707899
- Anmeldetag
- 31. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 17. November 2010
- Erteilung
- 17. November 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/265H01L21/324H01L21/336H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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