Prozess zur Herstellung von N-Halbleiter-Diamant und N-Halbleiter-Diamant
EP1713116
Art A1
18. Oktober 2006
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1713116
- Aktenzeichen
- EP03781011
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/265C30B29/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
11.182 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Cross, Rupert Edward Blount
London, Großbritannien
2.091
Patente gesamt
33
Fachgebiete
17
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Schwerpunkte