Verfahren zur Abscheidung eines Leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und Halbleiterkontaktvorrichtung
EP1714310
Art A1
25. Oktober 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1714310
- Aktenzeichen
- EP04804272
- Anmeldetag
- 23. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/04H01L21/285
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Barth, Stephan Manuel
München, Deutschland
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