Verfahren zur Herstellung einer Speicherstruktur unter Verwendung einer Modifizierten Oberflächentopographie und Struktur davon
EP1714314
Art A2
25. Oktober 2006
Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1714314
- Aktenzeichen
- EP04815294
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wray, Antony John
NoneBasingstoke
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette