Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitern mittels Laserstrahlung

EP1716964 Art B1 21. Januar 2009

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1716964
Aktenzeichen: EP06008671
Anmeldetag: 26. April 2006
Veröffentlichung: 21. Januar 2009
Erteilung: 21. Januar 2009
Rechtsraum: EP
IPC: B23K26/067H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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