Verfahren zur Oberflächenbehandlung von einem Gruppe III-Nitrid-Kristallfilm, Gruppe III-Nitrid-Kristallsubstrat mit einer epitaxialen Schicht, und Halbleiteranordnung

EP1717286 Art A1 2. November 2006

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1717286
Aktenzeichen: EP06007612
Anmeldetag: 11. April 2006
Veröffentlichung: 2. November 2006
Rechtsraum: EP
IPC: C09G1/02C30B33/00H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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