Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement und Ic-Karte, Ic-Tag, Rfid, Transponder, Schein, Sicherheiten, Pass, Elektronische Vorrichtung, Tasche und Kleidungsstück
EP1719169
Art A1
8. November 2006
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1719169
- Aktenzeichen
- EP05710462
- Anmeldetag
- 15. Februar 2005
- Veröffentlichung
- 8. November 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8246G06K19/07G06K19/077G06K19/10H01L27/10H01L27/112H01L27/12H01L29/786H01L27/13H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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