Grabentransistor-DRAM-Zellenanordnung und Verfahren zur Herstellung derselben

EP1720205 Art A2 8. November 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1720205
Aktenzeichen: EP06008676
Anmeldetag: 26. April 2006
Veröffentlichung: 8. November 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/108H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von