Verfahren zur Verbesserung der Qualität einer Genommenen Dünnen Schicht
EP1721333
Art A1
15. November 2006
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1721333
- Aktenzeichen
- EP05737045
- Anmeldetag
- 7. März 2005
- Veröffentlichung
- 15. November 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes