Verfahren zur Herstellung vollsilicidierter Dual-Gates und mit diesem Verfahren erhältliche Halbleiterbauelemente

EP1724818 Art A3 26. Dezember 2007

Anmelder: IMEC, Texas Instruments Incorporated, TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1724818
Aktenzeichen: EP06114050
Anmeldetag: 16. Mai 2006
Veröffentlichung: 26. Dezember 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/49H01L21/8234H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IMEC
Texas Instruments Incorporated
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC)
Land: 🇧🇪 Belgien

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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