Verfahren zur Bildung eines Halbleiterbauelements mit Gekerbter Steuerelektrode und Struktur dafür
EP1728274
Art A2
6. Dezember 2006
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1728274
- Aktenzeichen
- EP05711888
- Anmeldetag
- 21. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 6. Dezember 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/4763H01L29/76
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wray, Antony John
NoneBasingstoke
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette