Verfahren und Einrichtungen zur Bildung eines Kristallinen Silizium-Dünnfilms
EP1729330
Art A1
6. Dezember 2006
Anmelder: Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1729330
- Aktenzeichen
- EP05721587
- Anmeldetag
- 22. März 2005
- Veröffentlichung
- 6. Dezember 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/203C23C14/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nissin Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nissin Electric
Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.
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Barz, Peter
München, Deutschland
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