Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung mit einem versenkten Gate

EP1729338 Art B1 6. Juli 2016

Anmelder: Nanya Technology Corporation 🇹🇼

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1729338
Aktenzeichen
EP06010091
Anmeldetag
16. Mai 2006
Veröffentlichung
6. Juli 2016
Erteilung
6. Juli 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8242H01L27/108
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nanya Technology Corporation
Land
🇹🇼 Taiwan

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Bockhorni, Josef München, Deutschland
100
Patente gesamt
25
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Verpackungs- & Fördertechnik Maschinenelemente & Fluidtechnik Medizintechnik & Gesundheit Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen) Metallurgie & Oberflächentechnik
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