Substrat aus Nitrid-Halbleiter und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP1731632 Art A3 23. August 2017

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1731632
Aktenzeichen: EP06011299
Anmeldetag: 31. Mai 2006
Veröffentlichung: 23. August 2017
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/18C30B29/40H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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