Verfahren zur Bearbeitung einem Substrat aus Nitrid-Halbleitermaterial

EP1736268 Art A3 24. Januar 2007

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1736268
Aktenzeichen: EP06011947
Anmeldetag: 9. Juni 2006
Veröffentlichung: 24. Januar 2007
Rechtsraum: EP
IPC: B23H9/00H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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