Nitridekristal, epitaktischer Schicht auf einem Nitridekristal, Halbleiterbauelement und sein Herstellungsverfahren
EP1736574
Art B1
31. August 2016
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1736574
- Aktenzeichen
- EP06011946
- Anmeldetag
- 9. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 31. August 2016
- Erteilung
- 31. August 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B33/00C30B29/40C09K3/14B24B37/04G01N23/20H01L29/04H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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