Umverdrahtungssubstratstreifen mit mehreren Halbleiterbauteilpositionen
EP1738183
Art B1
27. Juli 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1738183
- Aktenzeichen
- EP05735462
- Anmeldetag
- 19. April 2005
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2011
- Erteilung
- 27. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01R1/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Schäfer, Horst
München, Deutschland
141
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23
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8
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