Verfahren zur Produktion von Lichtempfindlichen Dünnschicht-Halbleitern

EP1738406 Art A1 3. Januar 2007

Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1738406
Aktenzeichen
EP05747082
Anmeldetag
21. April 2005
Veröffentlichung
3. Januar 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/368
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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