Ebenen-Neuausrichtung nach einem Epitaxieschritt
EP1741131
Art B1
28. November 2007
Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, Freescale Semiconductor, Inc. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1741131
- Aktenzeichen
- EP05746639
- Anmeldetag
- 20. April 2005
- Veröffentlichung
- 28. November 2007
- Erteilung
- 28. November 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/544
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Poulin, Gérard
Paris, Frankreich
1.981
Patente gesamt
33
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte