Herstellungsverfahren für Doppel-Metall-Cmos-Transistoren mit Abstimmbarer Gate-Elektroden-Arbeitsfunktion
EP1741132
Art B1
23. September 2009
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1741132
- Aktenzeichen
- EP05736767
- Anmeldetag
- 19. April 2005
- Veröffentlichung
- 23. September 2009
- Erteilung
- 23. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Brookes Batchellor LLP · London