MOSFET mit Graben-Gateelektrode und dessen Herstellungsverfahren
EP1742270
Art A1
10. Januar 2007
Anmelder: STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1742270
- Aktenzeichen
- EP05106115
- Anmeldetag
- 6. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/08H01L29/06H01L21/265H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Kanzlei
Maccalli & Pezzoli S.r.l.
Milano, Italien
Maccalli & Pezzoli mit Sitz in Mailand ist auf gewerblichen Rechtsschutz spezialisiert und berät zu Patenten, Marken, Designs und Urheberrecht einschließlich Softwareschutz. Die Kanzlei begleitet Anmeldung und Verteidigung von Schutzrechten mit Expertise unter anderem in Elektronik, Telekommunikation, IT und Mechanik.
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