Verfahren zur Bildung Elektrischer Verbindungen für Halbleiterkonstruktionen
EP1743367
Art A1
17. Januar 2007
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1743367
- Aktenzeichen
- EP05743489
- Anmeldetag
- 28. April 2005
- Veröffentlichung
- 17. Januar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L27/105
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Hackett, Sean James
Birmingham, Großbritannien
646
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