Verfahren zur Herstellung von einem MOSFET mit vollsilizidiertem Gatter und dadurch hergestelle Bauelemente
Anmelder: IMEC, NXP B.V., Texas Instruments Incorporated, TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC), Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1744351
- Aktenzeichen
- EP05447277
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 26. November 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
NXP B.V.
Texas Instruments Incorporated
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC)
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇧🇪 Belgien
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
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