Verfahren zur Herstellung von einem MOSFET mit vollsilizidiertem Gatter und dadurch hergestelle Bauelemente
Anmelder: IMEC, NXP B.V., Texas Instruments Incorporated, TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC), Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1744351
- Aktenzeichen
- EP05447277
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 26. November 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
NXP B.V.
Texas Instruments Incorporated
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC)
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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