Verfahren zur Herstellung eines Gate-MOSFET vollständig aus Germaniumsilizid und derart hergestellte Anordnungen

EP1744352 Art A3 19. August 2009

Anmelder: IMEC, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1744352
Aktenzeichen: EP06447038
Anmeldetag: 17. März 2006
Veröffentlichung: 19. August 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IMEC
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC)
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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