Chip-Trägersubstrat aus Silizium mit durchgehenden Kontakten und Herstellungsverfahren dafür

EP1744353 Art A1 17. Januar 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1744353
Aktenzeichen: EP06010108
Anmeldetag: 16. Mai 2006
Veröffentlichung: 17. Januar 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/48H01L23/14H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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