Verfahren zum Wachstum von Gruppe-Iii-V-Halbleitermaterial auf einem Dielektrikum
EP1745502
Art A1
24. Januar 2007
Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation, Northrop Grumman Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1745502
- Aktenzeichen
- EP05731234
- Anmeldetag
- 23. März 2005
- Veröffentlichung
- 24. Januar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/203C30B29/40
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Northrop Grumman Systems Corporation
Northrop Grumman Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northrop Grumman
US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.
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Martin, Philip John
Cambridge, Großbritannien
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