Herstellungsverfahren für ein Gruppe III-Nitrid-Halbleiterbauelement und epitaktisches Substrat

EP1746641 Art B1 24. August 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1746641
Aktenzeichen: EP06715178
Anmeldetag: 3. März 2006
Veröffentlichung: 24. August 2011
Erteilung: 24. August 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/338H01L21/205H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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