Herstellungsverfahren eines MOS-Transistors.
EP1746643
Art B1
2. September 2015
Anmelder: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1746643
- Aktenzeichen
- EP06291159
- Anmeldetag
- 18. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 2. September 2015
- Erteilung
- 2. September 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Vertreten von
Zapalowicz, Francis
München, Deutschland
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