Iii-Nitrid-Halbleiterkristall und Herstellungsverfahren Dafür, Iii-Nitrid-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür und Lichtemittierende Einrichtung

EP1748470 Art A1 31. Januar 2007

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1748470
Aktenzeichen: EP05739204
Anmeldetag: 13. Mai 2005
Veröffentlichung: 31. Januar 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205C23C16/34H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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