Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren mit Top-Gate-Geometrie
EP1748477
Art B1
16. September 2009
Anmelder: Xerox Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1748477
- Aktenzeichen
- EP06117533
- Anmeldetag
- 20. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 16. September 2009
- Erteilung
- 16. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/786H01L29/417H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Xerox Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Xerox
US-amerikanischer Technologiekonzern, der Drucker, Kopierer, Multifunktionsgeräte sowie Dokumentenmanagement- und Druckdienstleistungen für Unternehmen anbietet.
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Skone James, Robert Edmund
London, Großbritannien
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