Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren mit Top-Gate-Geometrie

EP1748477 Art B1 16. September 2009

Anmelder: Xerox Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1748477
Aktenzeichen
EP06117533
Anmeldetag
20. Juli 2006
Veröffentlichung
16. September 2009
Erteilung
16. September 2009
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336H01L29/786H01L29/417H01L29/423
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Xerox Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Xerox

US-amerikanischer Technologiekonzern, der Drucker, Kopierer, Multifunktionsgeräte sowie Dokumentenmanagement- und Druckdienstleistungen für Unternehmen anbietet.

3.137 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen