Verfahren zur Herstellung eines Bereichs mit Reduzierter Elektrischer Leitfähigkeit Innerhalb einer Halbleiterschicht und Optoelektronisches Halbleiterbauelement

EP1749317 Art B1 18. Januar 2017

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Osram Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1749317
Aktenzeichen: EP05747600
Anmeldetag: 25. April 2005
Veröffentlichung: 18. Januar 2017
Erteilung: 18. Januar 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L21/24H01L21/76// H01L21/363H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Osram Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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