RF-Leistungstransistor mit impedanzangepasster Ausgangselektrode
EP1750298
Art B1
18. Januar 2012
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1750298
- Aktenzeichen
- EP06015435
- Anmeldetag
- 25. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 18. Januar 2012
- Erteilung
- 18. Januar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66H01L23/66H01L23/50H03F1/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Schäfer, Horst
München, Deutschland
141
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23
Fachgebiete
8
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