Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur unter Verwendung von Silizium-Germanium
EP1751791
Art A2
14. Februar 2007
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1751791
- Aktenzeichen
- EP05732886
- Anmeldetag
- 5. April 2005
- Veröffentlichung
- 14. Februar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette