Umgekehrter Magnettunnelübergang zum Leistungseffizienten Byte-Schreiben von Mram
EP1754230
Art A1
21. Februar 2007
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1754230
- Aktenzeichen
- EP05738591
- Anmeldetag
- 18. Mai 2005
- Veröffentlichung
- 21. Februar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Röggla, Harald
Wien, Österreich
925
Patente gesamt
34
Fachgebiete
22
Anmelder-Länder
Schwerpunkte