Speicherbaustein mit Benutzerkonfigurierbarer Dichte/leistungsfähigkeit
EP1754231
Art A2
21. Februar 2007
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1754231
- Aktenzeichen
- EP05760419
- Anmeldetag
- 3. Juni 2005
- Veröffentlichung
- 21. Februar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Vertreten von
Joly, Jean-Jacques
Paris, Frankreich
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