Plasmaätzverfahren mittels Periodischer Modulation von Gaschemie und Kohlenwasserstoffbeigabe
EP1754252
Art A1
21. Februar 2007
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1754252
- Aktenzeichen
- EP05760834
- Anmeldetag
- 27. Mai 2005
- Veröffentlichung
- 21. Februar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311G03F7/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
Browne, Robin Forsythe
Leeds, Großbritannien
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