Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiterkristalls

EP1754810 Art B1 18. Mai 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Mori, Yusuke 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1754810
Aktenzeichen: EP05727904
Anmeldetag: 30. März 2005
Veröffentlichung: 18. Mai 2011
Erteilung: 18. Mai 2011
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Mori, Yusuke
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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