Halbleiter-Schichtstruktur und deren Herstellungsverfahren, und lichtemittierende Vorrichtung
EP1755172
Art A1
21. Februar 2007
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1755172
- Aktenzeichen
- EP05291738
- Anmeldetag
- 17. August 2005
- Veröffentlichung
- 21. Februar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
NGK INSULATORS, LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
3.021 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Paget, Hugh Charles Edward
London, Großbritannien
2.000
Patente gesamt
31
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte