Verfahren zur Halbleiterherstellung mit Integration einer Wegwerf-Abstandsschicht in die Erhöhte Source-/drain-Verarbeitung
EP1756860
Art B1
4. November 2009
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1756860
- Aktenzeichen
- EP05735763
- Anmeldetag
- 13. April 2005
- Veröffentlichung
- 4. November 2009
- Erteilung
- 4. November 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
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5
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Weitere Vertreter
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette