Vertikales Galliumnitrid-Halbleiterbauelement und Epitaktisches Substrat

EP1758171 Art A1 28. Februar 2007

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1758171
Aktenzeichen
EP06714948
Anmeldetag
1. März 2006
Veröffentlichung
28. Februar 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/872H01L29/861H01L29/36// H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen