Vertikales Galliumnitrid-Halbleiterbauelement und Epitaktisches Substrat
EP1758171
Art A1
28. Februar 2007
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1758171
- Aktenzeichen
- EP06714948
- Anmeldetag
- 1. März 2006
- Veröffentlichung
- 28. Februar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/872H01L29/861H01L29/36// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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