Feldeffektbauelemente mit Gates und Verfahren zur Herstellung eines Feldeffektbauelements mit Gates
EP1759415
Art B1
20. August 2014
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1759415
- Aktenzeichen
- EP05756010
- Anmeldetag
- 31. Mai 2005
- Veröffentlichung
- 20. August 2014
- Erteilung
- 20. August 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/49H01L21/28H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.073 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Drury, Carole
Birmingham, Großbritannien
13
Patente gesamt
9
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Hackett, Sean James
NoneBirmingham