Verfahren zur Herstellung eines Nitridhalbleiterbauelements und Nitridhalbleiterbauelement

EP1760767 Art A3 17. August 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1760767
Aktenzeichen: EP06017373
Anmeldetag: 21. August 2006
Veröffentlichung: 17. August 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L33/00H01L21/78H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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