Dram mit Halbem und Vollem Dichtebetrieb
EP1761932
Art B1
28. Mai 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1761932
- Aktenzeichen
- EP05767848
- Anmeldetag
- 27. Juni 2005
- Veröffentlichung
- 28. Mai 2008
- Erteilung
- 28. Mai 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/10G11C8/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Joly, Jean-Jacques
Paris, Frankreich
1.122
Patente gesamt
32
Fachgebiete
23
Anmelder-Länder
Schwerpunkte