Verwendung Verschiedener Gate-Dielektrika mit Nmos- und Pmos-Transistoren einer Integrierten Komplemetären Metalloxidhalbleiterschaltung
EP1761952
Art B1
24. Oktober 2012
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1761952
- Aktenzeichen
- EP05767666
- Anmeldetag
- 24. Juni 2005
- Veröffentlichung
- 24. Oktober 2012
- Erteilung
- 24. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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